- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录381955 > IRF9530NSTRR (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF9530NSTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.20ohm，身份证\u003d- 14A条） |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 378K |
| 代理商： | IRF9530NSTRR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9530 | TRANSISTORS |
| IRF9530NL | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) |
| IRF9530NS | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) |
| IRFBC30 | N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET |
| IRFBC30 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9530NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9530PBF | 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9530S | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9530SMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
| IRF9530SPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。