参数资料
型号: IRF9540NL
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 23A TO-262
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 117 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 97nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRF9540NL
IRF9540NS/L
3000
2500
2000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss =C gs +C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C oss = C ds + C gd
C iss
20
16
12
I D = -11A
V DS = -80V
V DS = -50V
V DS = -20V
1500
C oss
8
1000
C rss
4
500
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
SEE FIGURE 13
60 80
A
100
100
10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 175°C
T J = 25°C
100μs
1
10
1ms
V GS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4 1.6
A
1
1
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
10
10ms
100
A
1000
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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