IRF9612 PDF资料下载(1/1 页)TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS

相关PDF资料	PDF描述
IRF9622	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 1.5A I(D) \| TO-220AB
IRF9511	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB
IRF9512	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-220AB
IRF9520NSTRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6.8A I(D) \| TO-263AB
IRF9520NSTRR	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6.8A I(D) \| TO-263AB

相关代理商/技术参数	参数描述
IRF9613	制造商:未知厂家制造商全称:未知厂家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 900MA I(D) \| TO-220AB
IRF9620	功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.5 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9620_R4941	功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9620L	功能描述:MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262 RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9620PBF	功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.5 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

相关代理商/技术参数

参数描述

功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.5 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF9620_R4941

功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF9620L

功能描述:MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262 RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF9620PBF

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

型号：	IRF9612
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 900MA I(D) \| TO-220AB
中文描述：	晶体管\| MOSFET的\| P通道\| 200伏五（巴西）直\| 900mA的一（d）\| TO - 220AB现有
文件页数：	1/1页
文件大小：	42K
代理商：	IRF9612

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式