- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录175866 > IRF9Z20STRRPBF 9.7 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF9Z20STRRPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 9.7 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | IRF9Z20STRRPBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFF320 | 2 A, 400 V, 1.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRFI530G-031PBF | 9.7 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFI530G-011 | 9.7 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFI614G-004PBF | 2.1 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFI720G-011 | 2.6 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9Z22 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs |
| IRF9Z22PBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRF9Z24 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z24L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
| IRF9Z24LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。