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参数资料
| 型号： | IRF9Z24NL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF9Z24NL |
IRF9Z24NS/L
D 2 Pak Package Outline
1.4 0 (.055 )
M AX.
1 0.54 (.4 15)
1 0.29 (.4 05)
-A-
2
4.69 (.1 85)
4.20 (.1 65)
-B -
1.3 2 (.05 2)
1.2 2 (.04 8)
1 0.16 (.4 00 )
RE F.
6.47 (.2 55 )
6.18 (.2 43 )
1.7 8 (.07 0)
1.2 7 (.05 0)
1
3
15 .4 9 (.6 10)
14 .7 3 (.5 80)
2.7 9 (.110 )
2.2 9 (.090 )
5 .28 (.20 8)
4 .78 (.18 8)
2.61 (.1 03 )
2.32 (.0 91 )
3X
1.40 (.0 55)
1.14 (.0 45)
5 .08 (.20 0)
3X
0 .93 (.03 7 )
0 .69 (.02 7 )
0 .25 (.01 0 )
M
B A M
0.5 5 (.022 )
0.4 6 (.018 )
1.3 9 (.0 5 5)
1.1 4 (.0 4 5)
8.8 9 (.3 50 )
R E F.
M IN IM U M R E CO M M E ND E D F O O TP R IN T
1 1.43 (.4 50 )
NO TE S:
1 D IM EN S IO N S A FTER SO L D ER D IP.
2 D IM EN S IO N IN G & TO LE RA N C IN G PE R A N S I Y1 4.5M , 198 2.
3 C O N TRO L LIN G D IM EN SIO N : IN C H .
4 H E ATSINK & L EA D D IM EN S IO N S D O N O T IN C LU D E B UR R S.
Part Marking Information
D 2 Pak
LE A D A SS IG N M E N TS
1 - G A TE
2 - D R AIN
3 - S O U RC E
8.89 (.3 50 )
3 .8 1 (.15 0)
2 .08 (.08 2)
2X
17 .78 (.70 0)
2.5 4 (.100 )
2X
IN TE R N A TIO N A L
A
PART NUM BER
8
R E C T IF IE R
LO G O
A S S E M B LY
LO T C O D E
F530S
9 24 6
9B 1M
DATE CODE
(Y YW W )
YY = Y E A R
W W = W EEK
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RJ6X103 | TRIMMER 10K OHM 0.5W TH |
| T491B226M006AT | CAP TANT 22UF 6.3V 20% 1411 |
| RJ6X102 | TRIMMER 1K OHM 0.5W TH |
| IRF9540NL | MOSFET P-CH 100V 23A TO-262 |
| RJ6X101 | TRIMMER 100 OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9Z24NLPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9Z24NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z24NS | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9Z24NSPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z24NSTRL | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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