- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21643 > IRFB33N15D (International Rectifier)MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFB33N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFB33N15D |
PD- 93903
IRFB33N15D
SMPS MOSFET
IRFS33N15D
IRFSL33N15D
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
V DSS
150V
R DS(on) max
0.056 ?
I D
33A
Benefits
l
l
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRFB33N15D
D 2 Pak
IRFS33N15D
TO-262
IRFSL33N15D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
33
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
24
130
3.8
170
1.1
± 30
4.4
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw ?
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
°C
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V input Active Clamp Forward Converter
Notes ?
through ?
are on page 11
www.irf.com
1
6/29/00
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFB23N20D | MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB |
| 2963983 | SAFETY RELAY DIN RAIL MOUNT |
| ECH-U1H821GB5 | CAP FILM 820PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H471GB5 | CAP FILM 470PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H331GB5 | CAP FILM 330PF 50VDC 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFB33N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRFB33N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB3507 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFB3507PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 97A 8.8mOhm 88nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB3607GPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。