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参数资料
| 型号： | IRFB33N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFB33N15D |
IRFB/IRFS/IRFSL33N15D
1 5V
800
TOP
I D
8.1A
14A
VDS
L
D R IV E R
600
BOTTOM
20A
RG
20V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
+
-
VD D
A
400
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
200
V (B R )D SS
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature ( C)
°
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
I AS
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Q G
50K ?
10 V
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
V G
Q GS
Q GD
V GS
D.U.T.
+
V
3mA
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFB23N20D | MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB |
| 2963983 | SAFETY RELAY DIN RAIL MOUNT |
| ECH-U1H821GB5 | CAP FILM 820PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H471GB5 | CAP FILM 470PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H331GB5 | CAP FILM 330PF 50VDC 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFB33N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRFB33N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB3507 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFB3507PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 97A 8.8mOhm 88nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB3607GPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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