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参数资料
| 型号： | IRFBC30 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET |
| 中文描述： | ? - 600V的通道- 1.8欧姆- 3.6A -到220 PowerMESH]二MOSFET的 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | IRFBC30 |
Output Characteristics
Transconductance
Gate Chargevs Gate-sourceVoltage
Transfer Characteristics
Static Drain-source On Resistance
CapacitanceVariations
IRFBC30
4/8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBC30 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A) |
| IRFBC30AS | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) |
| IRFBC30L | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) |
| IRFBC40 | N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
| IRFBC40 | 6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFBC30A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBC30AL | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBC30ALPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBC30APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBC30AS | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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