型号: | IRFBC40 |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
中文描述: | ? - 600V的通道- 1.0ohm - 6.2 -到220 PowerMESH] MOSFET的 |
文件页数: | 6/8页 |
文件大小: | 92K |
代理商: | IRFBC40 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRFBC40 | 6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
IRFBC40 | CAP CER 1000PF 100V 20% X7R 0603 |
IRFBC40 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) |
IRFBC40A | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) |
IRFBC40AS | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRFBC40_R4943 | 功能描述:MOSFET TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFBC40A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFBC40AL | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRFBC40APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFBC40AS | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |