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参数资料
| 型号： | IRFBC40A |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 600V电压的Rds（on）最大值\u003d 1.2ohm，身份证\u003d 6.2A） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | IRFBC40A |
DIM.
mm
TYP.
inch
TYP.
MIN.
4.40
1.23
2.40
MAX.
4.60
1.32
2.72
MIN.
0.173
0.048
0.094
MAX.
0.181
0.051
0.107
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
1.27
0.050
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
16.4
0.645
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L6
A
C
D
E
D
F
G
L7
L2
Dia.
F
L5
L4
H
L9
F
G
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
IRFBC40
7/8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBC40AS | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) |
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| IRFD121 | 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFD122 | 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFD123 | 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFBC40AL | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFBC40APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBC40AS | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBC40ASPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFBC40ASTRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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