型号: | IRFBE22-001PBF |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 1.6 A, 800 V, 7.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 41K |
代理商: | IRFBE22-001PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFBE22PBF | 1.6 A, 800 V, 7.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
IRFBE22-013 | 1.6 A, 800 V, 7.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRFBE22-011 | 1.6 A, 800 V, 7.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRFBE22-006 | 1.6 A, 800 V, 7.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRFBE22-004 | 1.6 A, 800 V, 7.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFBE30 | 功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFBE30L | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFBE30LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFBE30PBF | 功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFBE30S | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |