型号: | IRFD2Z2 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五(巴西)直| 300毫安(丁)|对250VAR |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 35K |
代理商: | IRFD2Z2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFD311 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 400MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD312 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD313 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD321 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD322 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 400MA I(D) | TO-250VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFD2Z3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD310 | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 0.35 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD310PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 0.35 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD310R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 400MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD311 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |