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参数资料
| 型号： | IRFD320 |
| 厂商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 0.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| 中文描述： | 500 mA, 400 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 478K |
| 代理商： | IRFD320 |
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: (44) 0883 713215
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 3L1, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: 6172 37066
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: (39)
1145 10111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 3-30-4 Nishi-Ikeburo 3-Chome, Toshima-Ki, Tokyo 171 Tel: (03)3983 0641
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, 0316 Tel: 65 221 8371
Data and specifications subject to change without notice.
IRFD320
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD9113 | RES 137 OHM 1/4W 1% 1206 SMD |
| IRFD9113 | -0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| IRFDC20 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A) |
| IRFE210 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRFE9210 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFD320PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD320R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD321 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFD321R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD322 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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