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参数资料
| 型号： | IRFD9113 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RES 137 OHM 1/4W 1% 1206 SMD |
| 中文描述： | 1瓦的额定功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | IRFD9113 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD9113 | -0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| IRFDC20 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A) |
| IRFE210 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRFE9210 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
| IRFF024 | 60V, N-CHANNEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFD9120 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9120PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9120R4602 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFD9123 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFD9123PBF | 功能描述:MOSFET 60 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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