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参数资料
| 型号： | IRFHS9301TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| 特色产品： | PQFN 2x2 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 580pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-PowerVQFN |
| 供应商设备封装： | 6-PQFN（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFHS9301TR2PBFDKR |
PD - 97581A
IRFHS9301PbF
HEXFET ? Power MOSFET
V DS
V GS max
-30
±20
V
V
TOP VIEW
R DS(on) max
(@V GS = -10V)
37
m Ω
D 1
6 D
D
D
D
G
S
Q g (typical)
I D
(@T C = 25°C)
13
-8.5
nC
A
D 2
G 3
S
D
5 D
4 S
D
D
2mm x 2mm PQFN
S
Applications
l
l
Charge and Discharge Switch for Battery Application
System/load switch
Features and Benefits
Features
Low R DSon ( ≤ 37m Ω)
Low Thermal Resistance to PCB ( ≤ 13°C/W)
Low Profile ( ≤ 1.0 mm)
Compatible with Existing Surface Mount Techniques
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen
MSL1, Consumer Qualification
Benefits
Lower Conduction Losses
Enable better thermal dissipation
results in Increased Power Density
Easier Manufacturing
Environmentally Friendlier
Increased Reliability
Orderable part number
Package Type
Standard Pack
Note
Form Quantity
IRFHS9301TRPBF
IRFHS9301TR2PBF
PQFN 2mm x 2mm
PQFN 2mm x 2mm
Tape and Reel 4000
Tape and Reel 400
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 70°C
I D @ T C = 25°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @ T A = 70°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V (Package Limited)
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-30
± 20
-6.0
-4.8
-13
-10
-8.5
-52
2.1
1.3
0.02
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
°C
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www.irf.com
1
11/12/10
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| IRFHS9301TRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRFHS9351TR2PBF | 功能描述:MOSFET Dual MOSFT PCh -30V 170mOhm -4.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFHS9351TRPBF | 功能描述:MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 45A 3PIN TO-259AA - Bulk |
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