- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录445 > IRFHS9301TR2PBF (International Rectifier)MOSFET P-CH 30V 6A PQFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRFHS9301TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| 特色产品： | PQFN 2x2 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 580pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-PowerVQFN |
| 供应商设备封装： | 6-PQFN（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFHS9301TR2PBFDKR |
IRFHS9301TR/TR2PbF
100
1000
OPERATION IN THIS AREA
100
LIMITED BY RDS(on)
TJ = 150°C
10
1msec
100 μ sec
10
1
1.0
0.4
0.6
TJ = 25°C
VGS = 0V
0.8
1.0
0.1
0.01
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.1
1
DC
10
10msec
100
-VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
14
LIMITED BY PACKAGE
12
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
2.0
I D = -25uA
1.5
8
6
4
2
0
1.0
25
50
75
100
125
150
0.5
TC, Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
100
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
1
0.1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
4
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI1310N | MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP |
| IRFI520N | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
| IRFI530N | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
| IRFIZ24E | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP |
| IRFIZ34E | MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFHS9301TRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFHS9351PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFHS9351TR2PBF | 功能描述:MOSFET Dual MOSFT PCh -30V 170mOhm -4.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFHS9351TRPBF | 功能描述:MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 45A 3PIN TO-259AA - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。