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参数资料
| 型号： | IRFI1010G |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 55V的五（巴西）直| 75A条（丁）| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 469K |
| 代理商： | IRFI1010G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI2807 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220AB |
| IRFI3415 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220AB |
| IRFI360D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-259VAR |
| IRFI360U | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-259VAR |
| IRFI460D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-259VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI1010N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK |
| IRFI1010NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI1310G | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=22A) |
| IRFI1310N | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFI1310NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 22A 36mOhm 80nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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