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参数资料
| 型号： | IRFI1010N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | N沟道HEXFET功率MOSFET的（不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | IRFI1010N |
IRFI1010N
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.06
–––
––– 0.012
2.0
–––
30
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
–––
66
–––
40
–––
46
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 26A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 43A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 43A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 28V
I
D
= 43A
R
G
= 3.6
R
D
= 0.62
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
= 1.0MHz
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
130
23
53
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
–––
–––
–––
–––
2900 –––
880
330
12
–––
–––
–––
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
pF
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 390μH
R
G
= 25
, I
AS
= 43A. (See Figure 12)
t=60s, =60Hz
I
SD
≤
43A, di/dt
≤
260A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Uses IRF1010N data and test conditions
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 26A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 43A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
81
240
1.3
120
370
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
S
D
G
49
290
A
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PDF描述 |
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