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参数资料
| 型号： | IRFI1010N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | N沟道HEXFET功率MOSFET的（不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | IRFI1010N |
IRFI1010N
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
100
120
140
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 43A
V = 44V
V = 28V
10
100
1000
0.4
0.8
V , Source-to-Drain Voltage (V)
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
T = 25°C
V = 0V
GS
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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