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参数资料
| 型号： | IRFI3710 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | 100V的，32A条，N沟道HEXFET功率MOSFET（100V的，32A条，?沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | IRFI3710 |
IRFI3710
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
35
T , Case Temperature (°
I
D
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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