- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377508 > IRFI3710 (International Rectifier) 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFI3710 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | 100V的，32A条，N沟道HEXFET功率MOSFET（100V的，32A条，?沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | IRFI3710 |
IRFI3710
PART NUMBER
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
YY = YEAR
W W = W EEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
A
Part Marking Information
TO-220 Fullpak
Package Outline
TO-220 Fullpak Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING
2 CONTROLLING DIMENSION: INCH.
D
C
A
B
MINIMUM CREEPAGE
DISTANCE BETW EEN
A-B-C-D = 4.80 (.189)
3X
2.85 (.112)
2.65 (.104)
2.80 (.110)
2.60 (.102)
4.80 (.189)
4.60 (.181)
7.10 (.280)
6.70 (.263)
3.40 (.133)
3.10 (.123)
- A -
3.70 (.145)
3.20 (.126)
1.15 (.045)
MIN.
3.30 (.130)
3.10 (.122)
- B -
0.90 (.035)
0.70 (.028)
3X
0.25 (.010)
M
A M B
2.54 (.100)
2X
3X
13.70 (.540)
13.50 (.530)
16.00 (.630)
15.80 (.622)
1 2 3
10.60 (.417)
10.40 (.409)
1.40 (.055)
1.05 (.042)
0.48 (.019)
0.44 (.017)
(YYW W )
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
3/98
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI460 | TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=21A) |
| IRFI5210 | -100V,-23A,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-100V,-23A,P沟道HEXFET功率MOS场效应管) |
| IRFI740GLC | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.7A) |
| IRFI740 | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A) |
| IRFI740G | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI4019H-117P | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 150V 8.7A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI4019HG-117P | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 150V 8.7A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI4020H-117P | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 200V 9.1A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI4024H-117P | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 11A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI4110GPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 9999A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。