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参数资料
| 型号： | IRFI540A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 28 A, 100 V, 0.052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封装： | I2PAK-3 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | IRFI540A |
IRFW/I540A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
@ Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 14.0 A
R
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
μ
s
DC
100
μ
s
1 ms
10 ms
@ Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 175
o
C
3. Single Pulse
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-5
10
-4
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
single pulse
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
D=0.5
@ Notes :
1. Z
θ
JC
(t)=1.4
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
-T
C
=P
DM
*Z
θ
JC
(t)
Z
θ
J
(
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
I
D
T
c
, Case Temperature [
o
C]
4
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
Fig 11. Thermal Response
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
Fig 9. Max. Safe Operating Area
P
DM
t
1
t
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFW540A | Advanced Power MOSFET |
| IRFW540 | Advanced Power MOSFET |
| IRFWI540A | Advanced Power MOSFET |
| IRFI624B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFW624B | 250V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI540ATU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI540G | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI540GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI540N | 制造商:INTRSL 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK |
| IRFI540NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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