参数资料
型号: IRFI634
厂商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: 250V N-Channel MOSFET
中文描述: 250V N沟道MOSFET
文件页数: 6/9页
文件大小: 649K
代理商: IRFI634
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
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PDF描述
IRFI634B 250V N-Channel MOSFET
IRFW720S N-Channel Power MOSFET(400V,1.8Ω,3.3A)(N沟道功率MOS场效应管(漏源电压400V,导通电阻1.8Ω,漏电流3.3A))
IRFW740S 400V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为400V的N沟道增强型功率MOS场效应管)
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相关代理商/技术参数
参数描述
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IRFI634BTU_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFI634G 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFI634GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube