型号: | IRFI634G |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | POWER MOSFET |
中文描述: | 功率MOSFET |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 297K |
代理商: | IRFI634G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFI9610GPBF | HEXFET POWER MOSFET |
IRFI9610G | HEXFET POWER MOSFET |
IRFI9640 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
IRFI9640G | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
IRFI9Z24G | HEXFET POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFI634GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFI640 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
IRFI640A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-262AA |
IRFI640B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
IRFI640BTU_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |