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参数资料
| 型号： | IRFI634G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | POWER MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | IRFI634G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI9610GPBF | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFI9610G | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFI9640 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
| IRFI9640G | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
| IRFI9Z24G | HEXFET POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI634GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI640 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFI640A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-262AA |
| IRFI640B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFI640BTU_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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