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参数资料
| 型号： | IRFI9Z34N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P Channel Straight Lead HEXFET Power MOSFET(P沟道HEXFET功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | P通道直铅HEXFET功率MOSFET的性（P沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | IRFI9Z34N |
IRFI9Z34N
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
VDD
DRIVER
A
15V
-20V
0
100
200
300
400
500
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP -4.2A
-7.2A
BOTTOM -10A
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIB41N15D | HEXFET Power MOSFET |
| IRFIB5N50L | MOTOR Control Application |
| IRFIB5N65A | N Channel SMPS MOSFET(N沟道开关模式电源MOS场效应管) |
| IRFIB5N65 | Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A) |
| IRFIB7N50A | SMPS MOSFET(开关模式电源MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI9Z34NPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFIB41N15D | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFIB41N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIB5N50L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIB5N50LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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