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参数资料
| 型号： | IRFIB5N65 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d?650V时，RDS（on）的最大值\u003d 0.93ohm，身份证\u003d 5.1A） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | IRFIB5N65 |
IRFIB5N65A
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
I
D
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