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参数资料
| 型号： | IRFIB5N65 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d?650V时，RDS（on）的最大值\u003d 0.93ohm，身份证\u003d 5.1A） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | IRFIB5N65 |
IRFIB5N65A
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
700
720
740
760
780
800
0
1
2
3
4
5
6
A
D
I , Avalanche Current (A)
V
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
2.3A
3.3A
5.2A
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