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参数资料
| 型号： | IRFIB5N65A |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N Channel SMPS MOSFET(N沟道开关模式电源MOS场效应管) |
| 中文描述： | ?频道开关电源MOSFET的（不适用沟道开关模式电源马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | IRFIB5N65A |
IRFIB5N65A
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
700
720
740
760
780
800
0
1
2
3
4
5
6
A
D
I , Avalanche Current (A)
V
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
2.3A
3.3A
5.2A
TOP
BOTTOM
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PDF描述 |
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