型号: | IRFIB7N50A |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | SMPS MOSFET(开关模式电源MOS场效应管) |
中文描述: | MOSFET的开关电源(开关模式电源马鞍山场效应管) |
文件页数: | 3/8页 |
文件大小: | 96K |
代理商: | IRFIB7N50A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFIBC20 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) |
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IRFIBC40G | GT 17C 17#16 PIN RECP BOX |
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IRFIBC40GLC | GT 17C 17#16 PIN RECP BOX |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFIB7N50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIB7N50L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
IRFIB7N50LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIB8N50K | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFIB8N50KPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |