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参数资料
| 型号： | IRFIB7N50A |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET(开关模式电源MOS场效应管) |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源（开关模式电源马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | IRFIB7N50A |
IRFIB7N50A
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
11A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
0
400
800
1200
1600
2000
2400
1
10
100
1000
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
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PDF描述 |
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| IRFIB8N50KPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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