参数资料
型号: IRFIZ48
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=37A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 60V的,的Rds(on)\u003d 0.018ohm,身份证\u003d 37A条)
文件页数: 6/8页
文件大小: 93K
代理商: IRFIZ48
IRFIZ48V
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
29A
51A
72A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料
PDF描述
IRFIZ48G Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=37A)
IRFK6H054 ISOLATED BASE POWER HEX-PAK ASSEMBLY PARALLEL CHIP
IRFK6H150 ISOLATED BASE POWER HEX PAK ASSEMBLY PARALLEL CHIP CONFIGURATION
IRFK6H250 ISOLATED BASE POWER HEX PAK ASSEMBLY PARALLEL CHIP CONFIGURATION
IRFK6H350 ISOLATED BASE POWER HEX PAK ASSEMBLY PARALLEL CHIP CONFIGURATION
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFIZ48G 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ48G_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIZ48GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ48N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFIZ48NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 36A 16mOhm 59.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube