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参数资料
| 型号： | IRFIZ48N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 89nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFIZ48N |
IRFIZ48N
40
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
30
10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
20
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
10
0
A
V DS
90%
25
50 75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
175
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Fig 10b. Switching Time Waveforms
Case Temperature
10
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
P DM
0.1
0.02
0.01
t
1
t2
SINGLE PULSE
Notes:
(THERMAL RESPONSE)
1. Duty factor D = t
1
/t
2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFL024NTR | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 |
| IRFL1006TR | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 |
| IRFL4105PBF | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
| IRFL4105 | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
| IRFL4310TR | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIZ48NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 36A 16mOhm 59.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ48NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 36A TO-220FP |
| IRFIZ48V | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 39A, 12 mOhm, 73.3 nC Qg, TO-220 FULLPACK |
| IRFIZ48VPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 39A 12mOhm 73.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFJ120 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-213AA |
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