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参数资料
| 型号： | IRFIZ48V |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=39A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 12mohm，身份证\u003d 39A条） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | IRFIZ48V |
IRFIZ48V
4
www.irf.com
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
1000
2000
3000
4000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Cis = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
I =
72A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
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PDF描述 |
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