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参数资料
| 型号： | IRFK6J450 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Isolated Base Power HEX-pak Assembly-Half Bridge Configuration |
| 中文描述： | 隔离基地电力六角柏大会半桥配置 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | IRFK6J450 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFK6JC50 | ISOLATED BASE POWER HEX PAK ASSEMBLY PARALLEL CHIP CONFIGURATION |
| IRFL024 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A) |
| IRFL024N | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRFL210 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=0.96A) |
| IRFL4315 | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFK6JC50 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:ISOLATED BASE POWER HEX PAK ASSEMBLY PARALLEL CHIP CONFIGURATION |
| IRFL 014PBF | 制造商:Vishay BCcomponents 功能描述:Bulk |
| IRFL 9014PBF | 制造商:Vishay BCcomponents 功能描述:Bulk |
| IRFL 9110PBF | 制造商:Vishay BCcomponents 功能描述:Bulk |
| IRFL014 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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