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参数资料
| 型号： | IRFL024N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | N沟道HEXFET功率MOSFET的（不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | IRFL024N |
IRFL024N
www.irf.com
3
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 1.
Typical Output Characteristics,
Fig 2.
Typical Output Characteristics,
1
10
100
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 150 C
T = 25 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
2.8A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
5.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
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