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参数资料
| 型号： | IRFL024N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | N沟道HEXFET功率MOSFET的（不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | IRFL024N |
IRFL024N
6
www.irf.com
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
RG
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
10V
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
1.3A
2.2A
2.8A
TOP
BOTTOM
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PDF描述 |
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