型号: | IRFP048R |
英文描述: | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package |
中文描述: | 单60V的N沟道HEXFET功率MOSFET的采用TO - 247AC封装 |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 413K |
代理商: | IRFP048R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFP042 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC |
IRFP362 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247 |
IRF9543 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB |
IRF9612 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 900MA I(D) | TO-220AB |
IRF9622 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFP048R_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRFP048RPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFP054 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFP054_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRFP054N | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |