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参数资料
| 型号： | IRFP460 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 500V及的Rds（on）\u003d 0.27ohm，身份证\u003d 20A条） |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | IRFP460 |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
IRFP460
MECHANICAL DATA
Fig.19. SOT429; pin 2 connected to mounting base
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT429 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT429
TO-247
98-04-07
99-08-04
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended through-hole package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-247
SOT429
E
P
A
A1
β
w
M
b
1
2
3
e
e
b1
b2
c
Q
q
L
Y
R
D
S
L1
(1)
α
UNIT
A1
D
b
E
e
w
S
R
q
Q
P
L
Y
b2
b1
c
L1
(1)
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
β
α
mm
17
°
13
°
6
°
4
°
5.3
4.7
1.9
1.7
2.2
1.8
1.2
0.9
3.2
2.8
0.9
0.6
21
20
16
15
5.45
3.7
3.3
2.6
2.4
5.3
7.5
7.1
0.4
15.7
15.3
16
15
4.0
3.6
3.5
3.3
Note
1. Tinning of terminals are uncontrolled within zone L1.
September 1999
6
Rev 1.000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFPC60LC-P | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247AC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFP460A_R4944 | 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP460APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP460APBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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