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参数资料
| 型号： | IRFP470 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
MegaMOS TM FET
IRFP 470
V DSS = 500 V
I D (cont) = 24 A
R DS(on) = 0.23 ?
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
D (TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
24
96
A
A
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
I AR
24
A
E AR
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
mJ
V/ns
W
° C
° C
° C
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
Weight
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
6
300
g
° C
International standard packages
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
High commutating dv/dt rating
Fast switching times
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
500
2
4
± 100
25
250
V
V
nA
μ A
μ A
Motor controls
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
DC choppers
Advantages
Easy to mount with 1 screw
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.23
?
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
92605E(5/97)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP9140N | MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC |
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| IRFR1010ZTRRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| IRFR1205TRR | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP4710 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.014ohm, Id=72A) |
| IRFP4710PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP4710PBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFP4768PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP4868PBF | 功能描述:MOSFET 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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