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参数资料
| 型号： | IRFP470 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IRFP 470
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
TO-247 AD Outline
min. typ. max.
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
11
21
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
4200
450
pF
pF
1
2
3
C rss
135
pF
t d(on)
24
30
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
33
45
ns
t d(off)
R G = 2 ?, (External)
65
80
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
30
40
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
160
190
nC
Min. Max. Min. Max.
A 4.7 5.3 .185 .209
A 1
A 2
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
28
75
0.25
40
85
0.42
nC
nC
K/W
K/W
2.2 2.54 .087 .102
2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
b 1
1.65 2.13 .065 .084
b 2
2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
E 15.75 16.26 .610 .640
e 5.20 5.72 0.205 0.225
L 19.81 20.32 .780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L1 4.50 .177
? P 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.89 6.40 0.232 0.252
R 4.32 5.49 .170 .216
S 6.15 BSC 242 BSC
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
600
24
96
1.5
A
A
V
ns
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP9140N | MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC |
| IRFR010TRPBF | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK |
| IRFR024NTRR | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| IRFR1010ZTRRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| IRFR1205TRR | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP4710 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.014ohm, Id=72A) |
| IRFP4710PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP4710PBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFP4768PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP4868PBF | 功能描述:MOSFET 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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