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参数资料
| 型号： | IRFP9130 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 中文描述： | 的P -沟道功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 508K |
| 代理商： | IRFP9130 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFP9133 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFP9140 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 21 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP9140_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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