参数资料
型号: IRFPC42
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247AC
中文描述: 晶体管| MOSFET的| N沟道| 600V的五(巴西)直| 5.9AI(四)|对247AC
文件页数: 8/8页
文件大小: 107K
代理商: IRFPC42
8
www.irf.com
IRFPC60LC-P
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR
s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
04/02
TO-247AC Part Marking Information
TO-247AC Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
NOTES:
- D -
5.30 (.209)
4.70 (.185)
2.50 (.089)
1.50 (.059)
4
3X
0.80 (.031)
0.40 (.016)
2.60 (.102)
2.20 (.087)
3.40 (.133)
3.00 (.118)
3X
0.25 (.010)
M
C
A S
4.30 (.170)
3.70 (.145)
- C -
2X
5.50 (.217)
4.50 (.177)
5.50 (.217)
0.25 (.010)
1.40 (.056)
1.00 (.039)
3.65 (.143)
3.55 (.140)
D
M
M
B
- A -
15.90 (.626)
15.30 (.602)
- B -
1
2
3
20.30 (.800)
19.70 (.775)
14.80 (.583)
14.20 (.559)
2.40 (.094)
2.00 (.079)
2X
5.45 (.215)
2X
1 DIMENSIONING & TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE
TO-247-AC.
INTERN ATION AL
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT COD E
EXAMPLE : THIS IS AN IRFPE30
W ITH ASSEMBLY
LOT COD E 3A1Q
PAR T N UMBER
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEA R
W W W EEK
3A1Q 9302
IRFPE30
A
相关PDF资料
PDF描述
IRFPE32 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-247AC
IRFPE42 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | TO-247AC
IRFPE52 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | TO-247AC
IRFPF20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-247AC
IRFPF22 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-247AC
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFPC42R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247
IRFPC48 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFPC50 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFPC50A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFPC50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube