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参数资料
| 型号： | IRFPC60LC-P |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247AC |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 600V的五（巴西）直| 16A条（丁）|对247AC |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | IRFPC60LC-P |
4
www.irf.com
IRFPC60LC-P
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
1
10
100
C
VDS
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
30
60
90
120
Q , Total Gate Charge (nC)
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V
G
I = 16A
V = 360V
V = 240V
V = 120V
1
10
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
T = 25
°
C
T = 150
°
C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
1
10
100
1000
1
10
100
1000
10000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25
°
C
T = 150
°
C
Single Pulse
10μs
100μs
1ms
10ms
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PDF描述 |
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