| 型号: | IRFR012 |
| 元件分类: | JFETs |
| 英文描述: | 6.7 A, 50 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 54K |
| 代理商: | IRFR012 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR020 | 15 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| IRFR020TR | 15 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| IRFR022 | 14 A, 50 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| IRFR022TR | 14 A, 50 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| IRFS634A | Advanced Power MOSEFT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR014 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR014_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFR014A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA |
| IRFR014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR014TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |