- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录175867 > IRFS634A (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) Advanced Power MOSEFT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFS634A |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Advanced Power MOSEFT |
| 中文描述： | 高级电源MOSEFT |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 344K |
| 代理商： | IRFS634A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU9010 | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFU9014 | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFY9130EAPBF | 9.3 A, 100 V, 0.36 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB |
| IRFZ40 | Power Field Effect Transistors |
| IRFZ42 | Power Field Effect Transistors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS634B | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS634B_FP001 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS634BT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
| IRFS634BT_FP001 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS635 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-220VAR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。