| 型号: | IRFZ40 |
| 厂商: | MOTOROLA INC |
| 元件分类: | JFETs |
| 英文描述: | Power Field Effect Transistors |
| 中文描述: | 51 A, 50 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数: | 1/2页 |
| 文件大小: | 65K |
| 代理商: | IRFZ40 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ42 | Power Field Effect Transistors |
| IRGC10B60KB | 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IRGPC50 | 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC |
| IRGCC36 | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IRGBC46 | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ40FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| IRFZ40PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ42 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| IRFZ44 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ44_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |