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参数资料
| 型号： | IRFR1010ZTRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2840pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U1010ZPbF
5000
4000
3000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
20
16
12
ID= 42A
VDS = 44V
VDS= 28V
VDS= 11V
2000
8
1000
Coss
Crss
4
0
0
1
10
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
20 40 60 80
QG Total Gate Charge (nC)
100
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.00
100.00
10.00
TJ = 175°C
10000
1000
100
10
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
1msec
1.00
0.10
TJ = 25°C
VGS = 0V
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
1
0.1
1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
DC
10
100
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR1205TRR | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK |
| IRFR120TRRPBF | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK |
| IRFR12N25DTRPBF | MOSFET N-CH 250V 14A DPAK |
| IRFR13N15DPBF | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
| IRFR13N20DCTRLP | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR1018EPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR1018ETRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR1018ETRRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR110 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR110_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-252AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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