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参数资料
| 型号： | IRFR12N25DTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 14A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 260 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 810pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 144W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 95353A
IRFR12N25DPbF
SMPS MOSFET
IRFU12N25DPbF
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
l Lead-Free
V DSS
250V
R DS(on) max
0.26 ?
I D
14A
Benefits
l
l
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
Parameter
D-Pak
IRFR12N25D
Max.
I-Pak
IRFU12N25D
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
14
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
9.7
56
144
0.96
± 30
9.3
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.04
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
–––
–––
50
110
°C/W
Notes ? through ? are on page 10
www.irf.com
1
12/2/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR13N15DPBF | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
| IRFR13N20DCTRLP | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| IRFR15N20DTRRP | MOSFET N-CH 200V 17A DPAK |
| IRFR18N15DTRPBF | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| IRFR18N15DTRR | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR12N25DTRRP | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR130 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFR130A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFR130ATF | 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR130ATM | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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