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参数资料
| 型号： | IRFR12N25DTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 14A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 260 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 810pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 144W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U12N25DPbF
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
12
I D = 8.4A
1000
Ciss = C gs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
SHORTED
10
V DS = 200V
V DS = 125V
V DS = 50V
7
5
100
10
Coss
Crss
2
0
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100.00
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
10.00
1.00
T J = 175°C
T J = 25°C
100
10
1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
1msec
0.10
VGS = 0V
0.1
Single Pulse
10msec
0.0
1.0
2.0
3.0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR13N15DPBF | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
| IRFR13N20DCTRLP | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| IRFR15N20DTRRP | MOSFET N-CH 200V 17A DPAK |
| IRFR18N15DTRPBF | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| IRFR18N15DTRR | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR12N25DTRRP | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR130 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFR130A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFR130ATF | 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR130ATM | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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